隨著“雙碳”目標(biāo)持續(xù)推進(jìn)，節(jié)能降碳已經(jīng)成為大勢(shì)所趨，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體積極布局低碳產(chǎn)品線，不斷加大低碳類項(xiàng)目投入，深化低碳芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，助力“雙碳”目標(biāo)早日實(shí)現(xiàn)。

在眾多產(chǎn)品中，寬禁帶半導(dǎo)體被認(rèn)為是具有廣闊發(fā)展前景的市場(chǎng)。雖然當(dāng)前碳化硅、氮化鎵器件相較于硅器件的價(jià)格仍較高，但綜合來(lái)看，應(yīng)用寬禁帶半導(dǎo)體器件將給系統(tǒng)帶來(lái)巨大的綜合收益。

面對(duì)新的增長(zhǎng)機(jī)遇，華微電子牢牢抓住機(jī)會(huì)，堅(jiān)定不移地走“低碳”路線，努力為其發(fā)展鋪就一條硬科技綠色通道。目前，華微電子寬禁帶產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)勢(shì)頭強(qiáng)勁。

眾所周知，寬禁帶半導(dǎo)體具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大、飽和電子漂移速度高、介電常數(shù)小以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，特別是基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)的材料具有更高的電子遷移率，使得器件具有低的導(dǎo)通電阻、高的工作頻率，能滿足下一代電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。

在GaN(氮化鎵)器件方面，華微電子已開發(fā)出650V功率器件，用于消費(fèi)類電源領(lǐng)域。對(duì)于SiC(碳化硅)器件，華微電子已經(jīng)完成650V～1200VSiC二極管的開發(fā)，產(chǎn)品處于量產(chǎn)階段；同時(shí)正在加快SiCMOSFET(碳化硅功率元器件)的推廣，向汽車充電樁、汽車OBC(車載充電器)和光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域進(jìn)行推廣。

華微電子將在未來(lái)的工作中繼續(xù)大力發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體，全力迎接低碳賽道的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。

據(jù)了解，吉林華微電子股份有限公司是一家集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品營(yíng)銷為一體的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。公司歷經(jīng)50多年的成長(zhǎng)與積淀，已經(jīng)探索出一條具有華微特色的技術(shù)創(chuàng)新路線。近年來(lái)，公司通過(guò)自主創(chuàng)新、產(chǎn)學(xué)研合作、引進(jìn)消化吸收等多種形式使產(chǎn)品技術(shù)不斷升級(jí)換代，形成了獨(dú)特的核心競(jìng)爭(zhēng)能力，擁有各項(xiàng)專利技術(shù)百余項(xiàng)，核心Knowhow技術(shù)百余項(xiàng)。成為國(guó)內(nèi)第一批將 MOSFET、FRD、IGBT 產(chǎn)業(yè)化的半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)，帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展水平。目前，公司IGBT及功率模塊、MOSFET、FRD、SBD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、光伏及儲(chǔ)能、汽車電子、智能家居等領(lǐng)域，產(chǎn)品銷售額居于國(guó)內(nèi)企業(yè)前列。